AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist Partner des EU-Zukunftsvorhabens "TRANSFORM – Trusted European SiC Value Chain for a greener Economy". Das von der EU und nationalen Förderbehörden finanzierte Forschungs- und Entwicklungsprojekt treibt die Erstellung einer wettbewerbsfähigen europäischen Lieferkette für Leistungselektronik auf Basis der Siliziumkarbid (SiC)-Halbleitertechnologie innerhalb der nächsten drei Jahre voran. Dazu arbeiten die 34 wichtigsten europäischen Experten im Bereich Siliziumkarbid-Technologie aus sieben EU-Ländern zusammen.

Die Lieferkette soll Europa zuverlässig mit Siliziumkarbid-Komponenten und -Systemen versorgen. Die europäische Wertschöpfungskette reicht von Substraten bis hin zu Energiewandlern wie Transistoren oder Module. Ebenfalls Teil dieser Wertschöpfungskette ist nicht zuletzt die notwendige industrielle Halbleiterproduktionstechnik wie produktionserprobte CVD-Systeme (Chemical Vapor Deposition) mit hoher Ausbeute.

SiC-Technologie der nächsten Generation

AIXTRON übernimmt bei dem Zukunftsvorhaben als einer der weltweit führenden Anbieter von CVD-Produktionstechnologie zur Herstellung von SiC-Schichten für die Leistungselektronik Aufgaben wie die weitere Verbesserung der CVD-Depositionstechnologie für Siliziumkarbid. Dazu gehört die Entwicklung einer Technologie zur gleichzeitigen CVD-Beschichtung von mehreren 200 mm-SiC-Substraten und einer CVD-Anlagentechnologie für Smart Cut SiC-Substrate. Das technologische Verfahren Smart Cut ermöglicht die Übertragung sehr feiner und dünner Schichten aus kristallinem Siliziumkarbidmaterial auf einen Träger (Substrat).

Eine leistungsstarke industrielle CVD-Anlage zur Abscheidung von Siliziumkarbid ist Dreh- und Angelpunkt bei der gemeinsam von den Projektpartnern zu entwickelnden Siliziumkarbid-Technologie der nächsten Generation. Die Anwendungsmöglichkeiten und die Nachfrage nach SiC-Technologie sind sehr groß und reichen von industriellen Antrieben und Energieumwandlung über erneuerbare Energien bis hin zur Elektromobilität.

Erwartete Energieeinsparungen durch Siliziumkarbid-Technologie von bis zu 30 Prozent

Die Siliziumkarbid-basierte Leistungselektronik ermöglicht sehr hohe Energieeinsparungen, da sie elektrische Energie deutlich effizienter nutzt als der derzeit noch vorherrschend eingesetzte Halbleiter Silizium. Je nach Anwendung werden Energieeinsparungen durch den Einsatz der Siliziumkarbid-Technologie von bis zu 30 Prozent erwartet.

"Mit einer solchen leistungsstarken und gleichzeitig energiesparenden Siliziumkarbid-Lieferkette können wir leistungselektronische Systeme endlich ganzheitlich optimieren und so die Energieeffizienz erreichen, die wir dringend benötigen. TRANSFORM kann diesen wichtigen Beitrag nicht nur zur europäischen Wettbewerbsfähigkeit, sondern auch zur nachhaltig grüneren Wirtschaft in Europa durch eine deutliche Steigerung der Energieeffizienz mit der SiC-Technologie leisten", sagt Prof. Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei der AIXTRON SE.

Das Projekt TRANSFORM wird von der Europäischen Kommission (Kennzeichen 16MEE0131) gefördert.

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